采用40kHz中频脉冲电源，利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，以六甲基二硅氧烷（HMDSO）为单体、氧气为反应气体，氩气为辅助气体，在PET薄膜表面沉积应用于透明高阻隔包装的氧化硅薄膜，并对其进行研究。在薄膜的制备过程中，为了了解氧化硅的形成机理，通过四极杆质谱仪对等离子体放电的气相中间产物及活性粒子进行原位检测；而通过傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）及原子力显微镜（AFM）对沉积薄膜进行化学组成及表面形貌分析表征，探讨沉积过程中等离子体气相粒子的产生和反应对薄膜特性的影响。

采用溶胶-凝胶-水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点，然后将其分散到氧化硅溶液中，用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。X射线衍射和高分辨透射电镜表征显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型，平均粒径约4．0nm。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜在356nm和388nm处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡量子点薄膜的光学禁带宽度，其值约为3．96eV。