介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。

采用在A1N缓冲层后原位沉积SiN掩膜层，然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1．7μm无裂纹的GaN薄膜，并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管（LED）外延片，其外延片的总厚度约为1．9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射（DCXRD）、原子力显微镜（AFM）测试分析。结果表明，GaN薄膜（0002）面的半峰全宽（FWHM）降低到403arcsee，其表面平整度得到了很大的改善；InGaN／GaN多量子阱的界面较平整，结晶质量良好。光致发光谱表明，GaN基LED峰值波长为469．2nm。