利用计算流体动力学（CFD）软件，按照现有的工艺参数对某管式等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备腔体进行三维数值模拟分析，研究了不同流量下工艺参数下PECVD设备腔体内部流场的整体分布，并对石英片之间反应区域的速度分布进行详细分析，并提出了多孔结构在腔体内部的应用。计算结果表明该工艺参数下腔体内部整体流动稳定，生长区流速平缓对于薄膜生长非常有利，在反应腔前端加入多孔区有利于增加晶片间的流动扩散，提高薄膜沉积率。数值模拟仿真为PECVD设备制造提供一定的理论指导依据。

半导体器件追求大功率和体积小型化的同时,半导体芯片的散热成为制约其可靠性和稳定性的重因素,如果不能及时的将芯片产生的热量传导出去,会导致其性能下降,寿命缩短,甚至造成永久性破坏。设计的紫外LED水冷板散热模型,首先通过计算得出芯片温度的理论结果,再应用Fluent软件模拟分析水冷板芯片的温度场、板面温度和压降等重参数,最后计算和仿真结果相互验证。结果表明：该水冷板模型设计合理,能够满足半导体芯片的降温求,并且保证了芯片内部温度的均匀性,有利于半导体器件高效稳定的运行。