介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。

提出了一种用于水听器电压检测的模拟前端电路，包括低噪声低失调斩波运算放大器，跨导电容（gm-C）低通滤波器，增益放大器三部分主体电路；低噪声低失调斩波运算放大器用于提取水听器前端传感器输出的微弱电压信号；gm-C低通滤波器用于滤除电压信号频率外的高频噪声和高次谐波；最后经过增益放大器放大至后级模数转换器的输入电压范围，输出数字码流；芯片采用台积电（TSMC）0．18μm单层多晶硅六层金属（1P6M）CMOS．工艺实现。测试结果表明，在电源电压1．8V，输入信号25kHz和200kHz时钟频率下，斩波运放输入等效失调电压小于110μV；整体电路输出信号动态范围达到80dB，功耗5．1mW，满足水听器的检测要求。

基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法。提出将SOI（silicon on insulator）片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra〈10 nm,腔体侧壁垂直度达83°。为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法。

应用计算机辅助设计了一种基于共面波导结构的MEMS带阻滤波器.研究了微尺度电磁学、力学、温度等效应.利用ANSOF的HFSS软件模拟分析了滤波器的损耗参数,并应用ANSYS软件分析复合结构的热应力分布,得出了阻带中心频率在18GHz的MEMS带阻滤波器件,提供了一些有意义的理论分析及应用.

介绍了一种数字式无线内窥镜的系统方案及其胶出并实现了用于该数模混合专用芯片的FPGA验证系统及验证流程.为了进行芯片系统级低功耗设计,验证系统完成了体内硬件部分的能量测试.

对主动锁模光纤激光器的锁相环路进行了改进,提出一种通过使用“变带宽锁相环”来改善主动锁模光纤激光器稳定性的方法。该方法主要依据信号误差电压实时控制环路的带宽,使环路带宽随锁定信号的频率差动态改变,以达到快速锁定信号的目的,从而提高锁模光纤激光器输出光脉冲的频率稳定性。利用Matlab软件的Simulink功能模块对其实效性进行了仿真验证。结果表明,采用该方法,锁相环的捕捉性能和跟踪性能提高了,主动锁模光纤激光器的工作稳定性得到进一步改善。

采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅（ncSi-SiNx）复合薄膜。通过X射线能谱（EDS）、X射线衍射仪（XRD）的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征。采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应。

介绍了用超高速集成电路硬件描述语言(VHDL),设计数字集成系统中快速查表电路的方案,这种查表算法具有并行运行的特点,并能够同时查找多种参数.该查表电路用FPGA予以实现.

运动估计是运动补偿技术的核心部分.本文在比较了VDSP中几种运动估计算法(光流分析法、块匹配法和象素递归法)的基础上,详细介绍了硬件复杂度较低、易于实现的块匹配法的典型电路.结合这种设计思路,设计出了具有良好前景的VDSP专用芯片.

讨论了采用8051单片机系统和利用光功率计GP-IB接口实现光功率的自动智能测量原理及实现方法.该方法具有无人值守、远程控制、长时间自动测量及数据分析的功能,符合国际标准.