介绍了一种PIN模块线性度参数测量的典型方法及测量系统并对测量误差的主要来源进行了分析阐述了测试系统性能和环境温度变化对测量结果的影响。

介绍了一种应用光学投影放大和光栅尺莫尔条纹测长技术的数字显示式光学投影仪，使用此仪器可对直径５０ｍｍ、长度５００ｍｍ以内的呼种复杂的轴类或丝杆类零件，进行非接触测量。仪器不但可以检测零件的局部形状误差，而且还可以测量零件的径向尺寸和轴向尺寸，其测量误差均小于±０．０１ｍｍ。

在不同的环境氧压下用脉冲激光沉积方法在Si（111）衬底上生长了ZnO薄膜，以325nm He—Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光谱以研究其发光特性，用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）研究了薄膜的晶体结构和表面形貌，结果表明氧压在20Pa和50Pa之间制备的ZnO薄膜具有良好的紫外发光特性和较好的晶体质量。分析了ZnO薄膜的发光机理，认为薄膜紫外峰源自自由激子复合发光，绿光峰的发光机制与锌位氧OZn关系密切，氧空位是蓝光发射的重要原因。

采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN／GaN分布布拉格（DBR）反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现，但在其他区域，样品具有较为平整的表面。该样品在462．5nm附近获得最大反射率99．4％，表面均方根粗糙度小至2．5nm。分析表明，所得DBR达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器的要求。

采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积（ECR—PECVD）技术，以氮气为等离子体气源，5％硅烷（Ar稀释）为前驱气体，在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜。利用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜（AFM）等测试技术分析探讨了硅烷流量（5～50cm^3）、沉积温度（150～350℃）以及微波功率（500～650W）等对SiN薄膜沉积速率及表面形貌的影响。结果表明：沉积速率随着硅烷流量和微波功率的增加而增加（最高达到11．07nm／min），随着衬底温度的增加而降低，在温度为350℃时降低到2．44nm／min。薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低，粗糙度最低为0．89nm，说明薄膜的表面质量较高。

海水温度的分布情况具有极其重要的实际价值。分析了几种光纤散射测温技术，研究了基于布里渊散射技术的分布式光纤测温技术，从理论上分析了布里渊散射光的频移和强度与海水温度和应力的关系，设计了基于此技术的分布式海洋水温获取系统。

针对半导体激光器线阵，建立了二维的热传导模型，模拟计算得到了半导体激光器线阵的二维瞬态温度分布。分析表明器件温度随时间的变化过程可分为三个阶段：在加电后几十微秒的时间内，发光单元之间未出现热交叠，不同填充比的线阵器件的温度基本一致；在几十微秒到几十或几百毫秒之间，大填充比结构线阵的发光单元之间先发生了热交叠，温度上升较快；微通道制冷的器件在几十毫秒之后温度达到稳定，平板热传导热沉封装的器件在几百毫秒之后温度才达到稳定。热传导热沉封装时，在相同的注入电流密度下，高填充比器件的发光单元之间出现温差更快。

采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2／ZnO复合薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分别表征TiO2／ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au／TiO2／ZnO／Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器，研究其光电特性。实验结果表明，TiO2／ZnO紫外探测器在5V偏压360nm紫外光照下光电流约为500μA，其响应度为100A／W，平均暗电流约为0．5μA；由于TiO^2／ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用，减少了产生的光生电子与空穴的复合，得到较强的光电流，且其光响应的上升弛豫时间约为22s，下降响应时间约为80S；响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO^2／ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。

对称切趾啁啾光纤光栅能够抑制反射旁瓣、平滑群时延曲线，但反射谱带宽利用率低。与对称切趾相比，非对称切趾光栅在保持群时延曲线基本不变的前提下，反射谱3dB带宽提高了64．08％，同时群时延纹波振荡也得到了一定的抑制。利用升余弦函数对光栅的长波长端和短波长端进行了不同比例的切趾仿真，发现长波长端30％切趾、短波长端20％切趾能够有效地提高光栅的反射带宽，同时可将群时延纹波压低在±2ps之内。

介绍了一种用于粒子图像速度分析（ＰＩＶ）的光源装置。利用该装置可在间得到一组相互平行的“光切面”，用于精确、快速地对复杂流场分布进行分析。