GaNMOCVD中气相化学反应机理的研究进展 作者: 师珺草 王丹 时亚茹 袁罗 来源:机械工程师 日期:2020-11-05 人气: 关键词: GAN薄膜 反应机理 反应器结构 自由基 量子化学 版权信息:站内文章仅供学习与参考,如触及到您的版权信息,请与本站联系。 信息 资料大小 990KB 文件类型 PDF 语言 简体中文 资料等级 ☆☆☆☆☆ 下载次数 简介 总结了MOCVD生长GaN薄膜过程中气相化学反应机理的研究进展。首先分别从反应器结构和自由基对气相反应机理的影响进行总结与分析,得到不同影响条件下的反应路径趋势i然后介绍了量子化学计算在GaNMOCVD气相化学反应机理研究中的应用与发展。 进入下载地址列表 标签: 点赞 收藏 上一篇 下一篇 相关论文 发表评论 请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。 中立 好评 差评 用户名: 验证码: 匿名? 发表评论 最新评论
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