基于金刚石微粉的单晶蓝宝石CMP工艺研究

简介

单晶蓝宝石具有高的机械和光学性能,已被广泛应用于光电子、通讯、国防等领域.以提高加工后单晶蓝宝石表面质量和缩短加工时间为最终目标,采用化学机械抛光的方法抛光蓝宝石,得到了一种可行有效的抛光单晶蓝宝石的加工工艺路线.试验结果表明,采用6μm金刚石磨料粗抛蓝宝石晶片1.5 h,表面粗糙度值由220.05 nm快速降到7.88 nm;然后采用3μm金刚石磨料精抛蓝宝石晶片3 h,可以获得Ra约为2.82 nm(测量区域700μm×530μm)的表面粗糙度值.此抛光工艺能满足蓝宝石衬底高效、低损伤的抛光要求.