功率集成电路中过热保护电路的设计

　　引　言

　　过热保护电路对于功率集成电路而言有着十分重要的意义,所谓功率集成电路就是指有一定负载能力,有较高电压输入输出的芯片,它主要应用于电气照明设备中。功率集成电路不同于一般的芯片在于在同一块芯片里不但集成了低压数字或模拟电路,也集成了高压功率输出电路。正是因为有高压功率输出部分,功率集成电路发热量比较大,所以,才有必要对其进行过热保护,以免烧坏整个芯片。本文介绍了一种过热保护电路。如何把温度信号转变为电压信号是设计过热保护电路的关键。按照传统的方法,传感器可以用热电偶、热电阻来做,但是如果要应用于集成电路中,考虑到以上2 种方法不容易集成,因此,不能采用。集成电路中的过热保护电路一般是利用二极管、三极管的温度特性来做传感器。

　　二极管温度检测电路及其原理

　　考虑到二极管的伏安特性对于温度比较敏感,因此,可以利用二极管来做传感器。

　　由二极管特性曲线可知,随温度升高正向特性曲线向左移,反向特性曲线向下移。其变化规律是:在室温附近,温度每升高1 ℃,正向压降减小2～2.5 mV ;温度每升高10 ℃,反向电流约增大1 倍。二极管的这种特性为负温度特性。

　　二极管在20～150 ℃温度范围内很好的保持着这一特性。通过不断试验,并运用统计规律,可以取其值为- 2. 2 mV/ ℃,即温度每上升1 ℃,认为二极管正向电压下降2. 2 mV ,而温度每下降1 ℃,其正向电压上升2. 2 mV。二极管这种良好的温度特性,说明它本身就是一个很好的温度传感器,而且容易集成。可以通过测量其正向电压的变化而计算其温度变化,从而可以很好的控制过热保护电路。二极管温度检测电路如图1 所示。

　　利用二极管导通电压会随温度的升高而下降( - 2. 2 mV/ ℃) 的特性,采用将4 个二极管串联作为温度传感器(即- 8. 8 mV/ ℃) 。M9 ,M10 ,M11是镜像电流源组成的恒流源,给4 个二极管提供电流。芯片整个工作时,随着温度的升高, V 点电压就会下降。只要检测V 点电压就能知道当前的温度状况。这个电路就完成了把温度信号转变为电压信号的任务。以下是这个电路的仿真结果。

　　温度为50 ℃时的V 点电压: V = 2. 4 V ;温度为120 ℃时的V 点电压: V = 1. 78 V.有了V 点的电压信号,再作处理就方便许多。不妨设计一个迟滞比较器,其输入端低于1. 78 V 就输出高电平信号(可以定义高电平为保护信号) ,其输入端高于2. 4 V 就输出低电平信号,即解除保护。这就相当于温度超过120 ℃时进行保护,当温度恢复到50 ℃时再解除保护,重新工作。

　　至于迟滞比较器的设计,在此不多赘述, 。不过建议使用模拟式的,数字式的施密特触发器虽然也有滞回曲线,但调试起来比较困难,因为施密特触发器的上跳变点V T + 和下跳变点V T - 都和阈值电压V TH有关,而V TH是随着温度的变化而变化的。而模拟式的迟滞比较器的回差电压值只和参考电压和内部MOS 管的尺寸有关,和温度无关,容易调节。过热保护电路的方框图如图2 所示。