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表面开口缺陷深度与漏磁场的关系

作者: 仲维畅 来源:无损检测 日期: 2024-05-27 人气:23
表面开口缺陷深度与漏磁场的关系
由磁偶极子理论证明,表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ是取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸的一较小长度,k是一个系数,它取决于缺陷侧壁上的磁荷分水岭.从而可以得出结论,当d很小时,H与d间近似为线性关系;而d增大时,它们之间则呈非线性关系.
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