介绍了发生器的结构特点，采用有限元数值方法对开关腔体内静电场进行了3维模拟计算，通过理论分析和实验研究，研制了1台12级重复频率Marx发生器，该发生器采用正负双边恒流充电方式及全电感隔离，其主要元器件间基本呈无感排列，结构简单、紧凑。实验结果显示：发生器输出电压为532kV，脉冲前沿约40ns，建立时间约32ns；开关腔内充纯净SF6气体，可以在重复频率1～50Hz下稳定运行。

通过分析柱形腔结构的激光接收机的点源透过率，论证了视场外利用杂散光干扰激光测距仪的可行性和对干扰光功率的相对需求。按照干扰光入射角度由小到大的顺序，提出了漫反射一镜面反射干扰、二次漫反射干扰和一次漫反射干扰的杂散光干扰机制，推导出了相应的点源透过率公式，并利用Tracepro软件进行了仿真验证。理论分析和仿真结果表明：在典型条件下为了确保在30°内可靠干扰激光测距仪，对干扰光功率的需求相对于视场内干扰时要高出5×10^8倍，确保80°内可靠干扰则需提高10^8倍。从提高光电接收系统抗干扰能力的角度指出：降低滤光片镜面反射率并使其远离探测器，可以减小漫反射一镜面反射干扰；降低接收光学系统腔内壁漫反射率，可以减小二次漫反射和一次漫反射干扰。

利用神光Ⅱ上激光与等离子体相互作用得到的软X光，建立了基于多层镜的四通道软X光单色器系统。研究了光源的性能，测量了光源强度、单色器系统稳定性、相应通道的一致性。研究表明，采用多层镜作为脉冲光源的分光元件，可以得到具有较好单色性的强脉冲软X光标定源。光源的光子能量为253eV和820eV，两能道的光源强度分别为1．8×10^19photon／（scm^2）和3．2×10^19 photon／（scm^2）。在该标定源上可以实现XRD、平面镜、多层镜、透射光栅和滤片的标定。

研究了同心分区偏振偏转相位板对径向偏振光梯度力的调制效应。给出了相位板各部分偏振偏转角不同时，光学梯度力的分布情况。模拟结果表明：随着同心分区相位板各部分的半径和偏振旋转角的改变，光学梯度力方向及大小明显变化，且会产生许多可控的梯度力分布模式，可应用于微粒的收集、分离和合并。结果显示同心分区相位板对径向偏振光的调制可以用来生成可调光镊。

对ICF实验中条纹相机的重要组件变像管的工作过程进行了介绍，建立了其内部电子光学系统模型，对其静态电子光学特性进行了数值模拟。模拟软件采用ANSYS，数值计算基于有限元数值计算方法，并利用哈密顿原理求解泛函，在控制计算精度的基础上，得出了该电子光学系统的内部静电场分布和轴上电位分布，同时对静态条件下的电子轨迹进行了模拟计算。结果显示了与理论解析结果很好的相似性，同时初步探索了电极尺寸及电压参数对成像的影响。结果表明，电压参数的改变对光电子成像的影响要更大一些。

设计了一种全固态、低阻抗、卷绕型零厚度带状脉冲形成线。通过保角变换将其特性阻抗的计算转化为对非对称型平板带状线特性阻抗的计算，并得出了卷绕型带状线特性阻抗的计算方法。数值模拟结果表明：带状线不对称将使带状线的特性阻抗减小，但当内导体宽与上下外导体间距之比很大时，可忽略不对称带来的影响。给出了不对称度（内导体分别到上下外导体的距离之比）对特性阻抗的影响关系，且不对称度小于3．1时，特性阻抗的变化小于5％，在实际工程设计中可忽略不对称带来的影响。

采用溶胶-凝胶-水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点，然后将其分散到氧化硅溶液中，用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。X射线衍射和高分辨透射电镜表征显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型，平均粒径约4．0nm。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜在356nm和388nm处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡量子点薄膜的光学禁带宽度，其值约为3．96eV。

在千焦拍瓦高功率放大系统设计中，激光脉冲的时空和光谱整形技术一直受到人们的广泛关注。利用反应离子束刻蚀等微纳超精细加工而成的多层电介质结构反射镜可在高功率条件下实现啁啾脉冲的光谱整形。在光谱整形介质结构反射镜的设计与制造中，需要根据要求的反射率来合理提出反应离子束刻蚀误差容限指标。推导出反应离子束刻蚀误差容限的解析表达式。针对神光Ⅱ千焦拍瓦高功率放大系统设计中提出的多层介质光谱调制反射镜，分析了调制结构反射镜各层加工的容许误差，确定了反应离子束刻蚀误差容限指标。研究表明：刻蚀高折射率介质的加工误差容限为35nm；刻蚀低折射率介质的加工误差容限为62nm。此外，还从使用需要和加工难易的角度，对刻蚀方案进行了讨论。就加工难易程度而言，优选反应离子束刻蚀方案，且采用刻蚀并残...

为解决采用Au光电阴极、开放式结构的分幅变像管探测效率低、稳定性差的问题,研制了一种采用CsI光电阴极的密封式分幅变像管。为了对比不同光电阴极对X射线的响应强度,密封式分幅变像管制作有一条Au微带阴极和一条CsI微带阴极。完成了密封式分幅变像管的结构设计、工艺制作和实验测试。研究结果表明:当加载半高宽度200 ps、幅值−2.7 kV的选通脉冲时测得其时间分辨为65 ps;在非单色高能X射线源照射下,CsI阴极的静态响应强度是Au阴极的3.4倍;大气环境中存储1000 h后密封式分幅变像管的静态响应强度仅降低到完成制作时的83%。上述结果表明采用CsI阴极的密封式分幅变像管具有更高的探测效率和稳定性,可有效提升X射线分幅成像质量和可靠性。

为了充分掌握磁流变抛光中磁场强度、浸入深度、抛光轮转速、磁流变液水分含量等工艺参数对抛光结果的影响规律,以期提高元件的面形精度和表面的质量,在研究了磁流变抛光材料的去除数学模型的基础上,结合实验室的PKC100-P1型抛光设备,对上述的关键工艺参数分别进行了研究,设置了一系列的实验参数,进行了详细的实验探索,分析了单因素条件下材料的去除量以及元件表面质量同关键工艺参数的内在联系,得出了相应影响关系曲线。从关系曲线表明:工艺参数对抛光斑的去除效率以及被加工元件表面质量存在着明显的影响规律,掌握这些影响关系就能用于分析和优化磁流变加工的结果,为高精度光学表面的加工提供可靠的保障,同时实验的结果也很好地验证了磁流变抛光材料去除理论的正确性。