开展了峰值功率10Mw、平均功率150kW的L波段多注速调管的研究工作。采用均匀场多透镜聚焦系统对多电子注进行聚焦，获得了具有良好层流性和波动性的旁轴多注电子光学系统；采用二次谐波腔，对6个电子注、6个同轴谐振腔结构的速调管进行了注波互作用计算。结果表明，当电子注电压为115kV，电流为132A时，可获得大于10Mw的脉冲输出功率，大于65％的输出效率和大于45dB的增益。

同步传感系统新方法主要是利用激光的抗电磁干扰及可高速处理的性能得到转镜的时间信息，再经过光电转换来实现转速的测量。探测电路部分采用限幅放大，在一个大的动态范围内，都可以得到稳定的脉冲信号。为满足精度的需求，信号处理部分采用ASIC计数单元，精度为0．2ns，然后通过嵌入式控制模块，方便地实现人机通信。由实验结果得到该方法的误差在ns级，比传统的高速相机传感器在精度上提高了一个数量级。

X光条纹相机在惯性约束聚变实验诊断中具有重要作用．它的性能技术指标的精确标定是实验数据可信度的基础。在上海激光联合实验室的20TW激光器上对X光条纹相机的扫速、时间分辨等时间性能进行了标定，取得了较好的结果。标定结果显示相机的各项性能与出厂标称值有了较大改变。标定的实验结果可有效提高ICF实验数据处理和物理分析的可靠性。

对于光纤锥或光纤面板耦合的CCD相机所获图像中存在的响应非均性问题进行了阐述,分析了CCD相机输出信号的构成情况和图像传递间的响应关系,并给出了相应的表达式.利用平场校正方法对存在较严重非均性的图像进行了处理,处理过程分为三步首先获取系统的暗本底图像(包括了暗电流及系统偏置),所选择的积分时间与被用来校正的图像的积分时间相同;其次,获取均匀光场的图像,并将其作为平场校正的参考图像;最后扣除本底,用相对标定的方法对图像进行校正,从而获得图像各像素响应率的相对标定系数,再用它对原始图像进行平场校正即可获得很好的结果.校正后的图像更清晰,噪声更小,很多细节都能在灰度图像中直接看出,经过边界处理和伪彩显示后可清晰地看到小于0.1mm的细缝,达到了图像精密处理的效果.

研究了客体模型FTO的闪光照相系统X光输运过程,给出了直穿照射量、散射照射量、直散比、直穿照射量能谱、散射照射量能谱、直穿X光通量能谱和散射X光通量能谱在记录平面的空间分布.结果表明后锥是照射量散射成分的主要来源,后锥照射量占总散射量97%;后锥也是造成散射的空间分布不均匀的主要器件,这一不均匀性高达58%.照相系统的最小直散比非常小,表明锥造成的散射已经严重地淹没了直穿(轫致辐射)信号.计算中使用高空间分辨率记录法进行分点,合成图像对吸收系数的复原结果与国外报道的结果相符.

在高能X光辐射照相系统中,通常使用闪烁体材料的转换屏将X光转换为可见光进行探测.建立了转换屏空间分辨率的计算模型,模拟了转换屏的空间分辨率随屏的厚度、材料及X光子能量的变化关系,为系统的设计提供了参数.

介绍了为"强光一号"设计的ns级时间分辨软X射线多幅图像诊断系统,分析了系统的主要性能指标,给出并分析了利用该系统诊断"强光一号"高功率脉冲Z-pinch等离子体辐射源的最新的实验结果.

依据材料的质量吸收系数和波长的关系，选择Cr和Al设计和制备30．4nm自支撑滤光片。在制备时以NaCl为脱膜剂，以热蒸发方式蒸镀Al，以电子束蒸发方式蒸镀Cr，制备了30．4nm的Cr／Al／Cr自支撑滤光膜，并对滤光片的表面缺陷进行了分析。通过显微镜观察，滤光膜均匀纯净，无明显针孔。Cr／Al／Cr自支撑滤光片在合肥国家同步辐射实验室进行了测量，Cr／Al／Or厚度为5nm／500nm／5nm和12．5nm／500nm／12．5nm的滤光片在30．4nm波长处的透过率分别为7．6％和4．6％，透过率曲线和理论计算基本一致。用紫外分光光度计测量得滤光片在200-800nm波长范围的透过率小于0．02％，满足使用要求。

通过光线追踪模拟在SGⅡ激光装置上利用第9路激光入射到Cu背光靶面产生X射线,通过Au网格背光照相,利用KBA显微镜对此网格成像,获得了清晰的网格图像。通过对实验网格数据的分析发现：在掠射角减小的方向,空间分辨力随视场的变化比掠射角增大的方向变化小,与光线追踪模拟比较,二者均表明KBA的视场是非对称的,从实验图像数据得出,视场的不对称相对于中心位置约为30%。

介绍了应用于超高压条件下的成像型速度干涉仪技术的光路结构和基本原理，该技术在传统速度干涉仪技术的基础上进行了改进，将收光部分改为成像系统，记录系统使用条纹相机，从而能够诊断高速冲击波信号。给出了全系统的光路图，提出了各分系统的参数要求。针对系统硬件，给出了探针光源、成像系统的基本参数，给出了三点支撑干涉仪的设计图，分析了记录系统的基本参数。对于静态实验，拍摄了静态靶的照片，并对静态靶照片进行了初步的分析：发现可以通过条纹对比度的变化初步判断像与靶的对应程度。