利用Gifford—McMahon（G-M）制冷机提供低温源，研制了平面低温冷冻靶系统。该系统最低温度可以达到10K，制冷功率随温度降低而降低，制冷速率可控。其中，在18．6K其制冷功率可以达到6．5w；在14K其制冷功率为3w。利用该系统，初步开展了氩、氢的冷冻实验，并研究了温度对激光惯性约束聚变靶丸结构的影响。获得了氩、氢平面低温冷冻靶，并观察到了低温诱导聚变靶丸形变现象。

中物院的初级实验平台（PTS）低抖动Marx发生器由60个标称电压为100kV、电容量为1uF电容器和30个低抖动环轨式场畸变开关构成，采用以S型线路为基础的超前触发型电路。近千次实验结果表明：在工作欠压比71％、触发电压200kV的条件下，Marx发生器的建立时间175ns，抖动极差小于±10．0ns，均方根抖动小于7．0ns。Marx发生器的串联电感13．5uH，串联电阻3．2Ω，在电容器充电80kV时，实验测得输出电压4．3MV，Marx发生器电压建立时间175ns，与电路模拟结果（输出电压为4．6MV，电压建立时间160ns）吻合良好。

建立了矩形阵列高斯光束合成模型，采用数值模拟方法计算了光束间距、单元光束特性以及阵列结构等参数对非相干合成和同相位相干合成的远场峰值强度及光束质量的影响，描述了非同相位相干合成可能产生的结果，讨论了同轴与非同轴合成，相干与非相干合成的特点。结果表明：非相干和同相位相干合成时的光束质量随着单元光束的增多而变差，并且随着光束间距与单元光束束腰之比的增大而下降；而非同相位相干合成的结果较为复杂，可能产生完全相消干涉，合成光束“重心”离轴及束腰位置偏移等现象。分析认为：同轴合成可以获得最佳的光束质量，是值得采用的合成方式。此外，同轴相干合成优于非相干合成的充分条件是将单元光束之间的相位差控制在（-π／4，π／4）以内。

针对闪光照相系统模糊较大、成像信噪比低的特点，提出了一种基于约束共轭梯度的闪光照相图像复原算法，将闪光照相图像复原问题转化为一个约束优化问题，引入基于非负、中值滤波和偏微分方程的光滑约束条件，并利用约束共轭梯度法迭代求最优解。数值试验表明，该算法能较好再现图像边缘信息，复原出的图像在信噪比和视觉方面都有较大提高。

介绍了旋滤波算法中窗口大小变化对滤波效果的影响，得出旋滤波的窗口应该取在约1／4条纹宽度的结论。处理了大散斑噪声的干涉图，发现窗口尺寸必须超过散斑尺寸才能得到比较好的滤波效果。确定了旋滤波算法应用的范围是大于散斑尺寸，且在1／4条纹宽度处比较合适。针对滤波后条纹对比度降低的问题，使用灰度拉伸的方法进行对比度增强。

由于鬼模振荡的存在,普通波导盒型窗很难获得宽频带输出,其相对带宽一般只有20%-30%。提出一种新的适用于大功率螺旋线行波管非对称全带宽波导盒型窗设计思路,通过3维电磁仿真设计与优化,获得了L波段相对带宽达41.4%盒型窗结构设计参数,且频带内无鬼模振荡,考虑匹配过渡段后整个盒型窗驻波系数模拟计算小于1.1。采用此功率输出结构研制的S波段大功率行波管连续波输出功率达3kW以上,整管实测驻波系数小于1.6。

以典型的惯性约束聚变（ICF）装置为基础,根据ICF中光传输、光放大和光倍频等原理,建立了一套含自适应光学校正系统的ICF仿真软件。通过比对国内外相应的文献和专业软件的光的线性传播、非线性传播、光的增益、光的倍频等来验证软件仿真的准确性和可靠性。给出了经自适应光学系统校正前后基频光的近场强度和相位分布,3倍频光的近、远场的光强分布,说明自适应光学在提高ICF装置输出光束质量中的作用。该软件的建立将为优化ICF系统中自适应光学的设计提供参考。

设计了一种高功率宽带微波辐射装置，谐振器采用传输线型谐振器，其中，天线采用单锥喇叭。整个宽带微波产生装置具有结构紧凑、谐振频率较低的特点。用时域有限差分对该装置进行了数值模拟，模拟结果为：辐射场中心频率272MHz，带宽13．5％。装置与高压脉冲源联试，开关内充电电压为71kV时，辐射场中心频率为197MHz，辐射场带宽达到24％，峰值辐射因子为28．3kV。

HPM对微波器件的输出脉冲影响主要有幅度变化、脉宽变化、相位变化以及暂时性压制，以此为基础建立了4种效应参量的模型，分别是衰减因子、脉宽、相移和压制时间。在建立效应参量模型时，参照分离变量法，提出使用加权函数的方法把多维函数分解成多个1维函数相乘，基本解决了利用有限实验数据建立数学模型的问题。给出了利用效应数据建立数学模型所常用的几种数据处理方法，如曲线拟合、查表／插值和概率统计，并给出了该方法在TR放电管效应评估中的使用实例。

建立了带输入波导结构的S波段速调管放大器输入腔开放腔模型，利用3维软件对其高频特性进行了数值计算研究，并对输入腔结构进行了优化设计。利用已加工的输入腔进行了高频参数的冷测实验研究，实验中的输入腔结构尺寸与高频分析中的完全相同，实验结果与高频分析结果一致。用3维PIC程序对电子束经过该输入腔后的束流调制以及注入微波的吸收情况进行了模拟。模拟结果表明：该输入腔与微波注入波导匹配很好，注入微波能被电子束和谐振腔全部吸收，在输入腔间隙后37cm处得到了13％的基波电流调制深度。