为了获取丝阵Z箍缩等离子体高能谱分辨的X辐射图像，建立了云母球面弯晶X光摄谱仪，根据色散平面内球面弯晶诊断空间分布X光源的几何模型分析了摄谱仪的能谱分辨，计算结果与光线追迹方法得到的结果吻合。当探测器位于罗兰圆上时，系统具备最优能谱分辨。在“强光一号”装置上，利用该摄谱仪诊断了镀镁铝丝阵负载Z箍缩等离子体的X辐射图像，结果表明，该球面弯晶摄谱仪的能谱分辨率高于1000。

介绍了横向超音速自由旋气动窗口设计方法,分析了单级气动窗口难以实现大密封压比的原因。针对气动窗口扩压器入口气动参数分布特点,提出了一种扩压器带端壁吹气的气动窗口设计方案并进行了试验验证,气动窗口密封压比达到了85。结果表明：扩压器入口端壁吹气是一种有效提高气动窗口密封压比的技术措施,内端壁吹气对密封压比影响较大,外端壁吹气对密封压比影响较小。

对兰州重离子加速器冷却储存环实验环（CSRe）的高频系统功率源的设计作了详细的工程计算，工作频率范围为0．5～2．0MHz，工作于基波及二次谐波模式，发射机不仅能工作于点频连续波模式，而且还可以工作在扫频调制模式，输出最大功率达到70kW。满足最高加速或减速电压10kV的设计要求，能够用于捕获放射性次级束并将束流的能量从400MeV／u减速到30MeV／u。

通过建立的微波腔模拟产生大量腔体散射矩阵和辐射散射矩阵，并转化得到归一化散射矩阵和阻抗矩阵。利用戴桑环系综对归一化散射矩阵的本征值和本征相位进行了统计分析，其本征值的模和本征相位具有统计独立性，且本征相位近似均一分布，验证了腔体中波混沌散射的存在。对数值模拟和随机矩阵理论预测得到的归一化阻抗的统计特性进行了比较，其结果基本一致，说明随机矩阵理论对归一化阻抗具有一定的预测功能。

在玻璃基体上，采用射频磁控溅射方法在不同的基体温度下制备了TiO2薄膜，然后在薄膜中注入注量分别为5×10^16,1×10^17和5×10^17/cm^2的N离子以制备N掺杂的TiO2薄膜。X射线衍射结果表明：制备出的TiO2薄膜为锐钛矿型。X射线光电子能谱研究结果表明：注入的N离子与TiO2晶粒相互作用，形成了含氮的TiOxN2-x化合物，从而改变了TiO2薄膜的吸收边；随N离子注量增加，吸收边移动更明显；同时．由于氮离子注入产生的辐照缺陷使TiO2薄膜在紫外和可见光区的吸收也明显增强。

介绍了一种水介质脉冲形成线强流电子束加速器的输出开关的设计和实验结果。水介质脉冲形成线为单同轴螺旋结构，阻抗约9Ω，充电电压为1．2MV，匹配负载输出电压600kV，脉冲宽度100ns，形成线长度1．1m，最大外径35cm。输出开关采用简单的自击穿火花开关形式，主要采用了以下设计原则：（1）电极间隙的场增强因子小于1．4，使SF。的击穿电压一压强曲线尽可能线性；（2）电极间平均场强300kV／cm，大于材料沿面界面场强的3倍以上，避免发生沿面闪络；（3）控制各结合点的场强，使其小于30kV／cm；（4）减少开关室的体积，以保证最大的机械强度。该开关结构紧凑，总长度为12cm，电感小于100nH、击穿电压和气压的线性关系好，可在0．3～1．2MV的较宽范围内调节。实验中开关运行稳定可靠，达到了设计要求。

提高天线增益和辐射效率是瞬态天线研究的重要内容之一。通过设定高斯脉冲激励波形，导出了瞬态辐射的能量阵列因子，分析了1维对称均匀天线阵列的瞬态辐射特性。结果表明：阵列的辐射波形与观察时间区间和角度有关，瞬态与稳态特性差异明显，时域辐射方向图与脉冲宽度有关，阵列可实现时域波束扫描。设计了介质加载天线阵，并采用3维电磁场分析软件进行了时域仿真计算，分析了介质加载对天线辐射特性的影响。研究表明：有介质加载的天线前向辐射电场峰值比没有介质加载的天线增加逾1倍，即瞬态辐射功率增大了3倍多，通过对计算和仿真结果的分析比较，验证了分析和设计方法的正确性和有效性。

根据耦合波理论，推导出轴对称渐变波导中，考虑波导壁损耗时的多模传输时域耦合波方程组，并给出该方程组中各模式间耦合系数的具体表达式。据此编写了渐变波导中多模传输特性数值模拟程序。利用该程序计算了在THz波段圆波导中的模式衰减，在THz波段研究波导中的多模传输特性时，必须考虑波导壁的阻抗损耗影响。数值分析了直波导中的模式耦合问题，从而证实了波导壁有限电导率能产生模式耦合这一耦合机制。介绍了利用该程序数值分析波导耦合器和过渡器中多模传输特性的两个例子，利用该程序可对波导耦合器和过渡器中的多模传输特性进行数值模拟分析，进而对结构进行设计和优化。

介绍了一种应用于强流束二极管的径向绝缘结构，并对其在纳秒脉冲条件下的沿面闪络放电现象进行了研究。使用计算机模拟静电场的方法，对锥形结构绝缘子表面的电场分布进行了研究，优化了几何结构参数。在脉宽为40ns，重复频率100Hz的脉冲功率源上对绝缘子进行了实验研究。在历时18个月及100000次脉冲实验后，发现绝缘子表面具有明显的树枝状放电现象，树枝状放电的根部碳化严重，绝缘子深度方向被完全击穿碳化，出现孔洞。基于固一液交界面闪络特性，对树枝状放电的可能原因进行了探讨。

利用光学传输矩阵理论对掺杂1维光子晶体的缺陷模进行了研究。计算和分析了缺陷层折射率、缺陷层厚度与缺陷峰的关系。得出结论：随着缺陷层厚度的增大，缺陷峰波长呈线性增加，但是当缺陷层厚度增加到一定值时，缺陷峰的个数也将不断增加；缺陷层折射率也与缺陷峰波长有线性正比关系。从而提出了一种在微波领域测量介质折射率和介电常数的有效方法。