压电式力接收器基于其小型结构和很高的机械刚性，所以特别适宜于动态测量。例如，在生产监控、Crash检验以及生物机械方面，用这种力接收器测量脚踏力。这种力接收器因其不利的漂移特性，迄今很少适宜于静态应用。然而，使用现代的电荷放大器，似静态测量将会成功，其时间特性曲线不再用指数减小表示，而是用线性漂移表示。所以，与现代的电荷放大器组合的压电式力接收器应用在测力与称量技术中已越来越引人注意，此时测量时间或负荷变换时间在几分钟之内。

采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm^2的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成，极大地减少了工艺步骤，降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析，对238Pua射线源的能谱进行了测量，对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。