为了提高发电厂单点温度保护系统的可靠性，提出了采用温度变化率坏点闭锁逻辑和延时、高高限、低低限坏点闭锁逻辑2种容错逻辑设计方案，并对这2种方案进行了比较。采用温度变化率坏点闭锁逻辑方案，进行合适的参数设置尤为重要；延时、高高限、低低限坏点闭锁逻辑方案的参数设置较简单。

基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p%pLUS%p-n%pLUS%结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明:在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p%pLUS%p-n%pLUS%结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm.Hz1/2.W-1.