低功耗CMOS电压基准源的设计
给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.03675mm^2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380nA;在2.5~6V工作电压下,线性调整率为0.025%;4V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。
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