针对纳米定位平台的构型和定位精度问题，采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺，并对关键工艺进行了分析，总结了导致器件失效的主要原因，探讨了减少失效的方法。同时，提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀（DRIE）工艺参数的调整，成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口，释放了最小线宽为2．5μm，厚度为50μm的梳齿结构。