采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺,在熔石英基片上成功地刻蚀出200 l /mm、线空比46、槽深70 nm、刻划面积60×20 mm2的浅槽矩形Laminar光栅.对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究.这一新工艺相对简单,降低了对干涉系统光学元件和全息曝光显影的严格要求.