孔式磁流变阻尼器的磁路改进设计与仿真分析

简介

对传统的孔式磁流变阻尼器的磁路进行了改进设计使得作用磁场全通道有效并用ANSYS建立了磁路仿真模型仿真研究了不同结构下磁路的路径和磁感应强度及不同参数下阻尼孔附近的磁通密度。通过优化分析得出最好的结构参数使得全通道的磁感应强度都达到要求的0.5 T。结果表明所设计的磁流变阻尼器的磁场利用率比一般的磁流变阻尼器高达1倍。