匀胶托盘几何参数对硅片形变的影响研究

简介

基于FLUENT进行了数值模拟试验,探讨了匀胶托盘几何参数对硅片形变的影响。研究结果表明：在相同真空负压作用下,当承片台直径D小于30mm时,硅片的形变主要为翘曲变形;当承片台直径D大于45mm时,硅片的形变受旋涂匀胶托盘形变的影响增大,在硅片边缘处发生下翘形变。在相同出口速度下,硅片中心周围处的形变和真空度均随着真空吸片口直径d的增大而增大。当承片台面积为其所吸附硅片面积的（1/2～3/5）附近且真空吸片口直径为3mm左右时,旋涂硅片的形变量最小。