论述了波长色散X射线荧光分析装置的发展状况。除了继续发展其在高含量、常量和微量元素分析上高精度、高稳定性的固有特点之外，在进一步提高灵敏度，使分析范围扩展到痕量分析范围；开拓微区面分布的元素成像分析；进一步对传统分析困难的轻元素和中重金属元素的探讨，开发新的高级次谱线分析方法；适应新材料特别是纳米材料的分析要求，对薄膜分析的开拓等方面，已经有了长足的发展。本文介绍在商品化的分析装置方面的发展状况。同时本文引入对无标样分析的基本参数法（FP法）目前发展状况的介绍。

使用适当近似从理论上给出了共焦显微拉曼光谱仪的纵向仪器响应函数. 针对相对薄(几个μm)的样品(诸如半导体薄膜材料)给出了一个简化的卷积模型. 利用共焦显微拉曼光谱的深度剖析方法,研究了激光晶化后的非晶硅薄膜,并利用反卷积算法,提高了对薄膜纵向结构的分辨能力,发现了激光晶化产生的纳米微晶硅仅位于薄膜中间.