在“强光一号”加速器上，对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验，测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律，得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系，分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明：CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低，在20ns的脉冲宽度辐照下，CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍，CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。

本文介绍了基于PIC16F874单片机的嵌入式CAN智能节点的软硬件设计,同时应用PCL-841 CAN接口卡使嵌入式CAN智能节点与PC之间实现了通信,完成了电压、电流、温度等信号的实时采集、可靠传输和实时显示,实现了PC端对嵌入式CAN智能节点PWM波输出的脉冲宽度的控制.

通过对利用原子力显微镜（AFM）阳极诱导氧化作用下在硅表面生成纳米氧化结构的特征的讨论，发现通过改变加工时的偏置电压和脉冲宽度，氧化点高度和宽度与所施加偏置电压呈对数关系，氧化点高度与宽度与脉冲宽度呈指数关系；同时发现在环境温度和氧气浓度保持不变的条件下通过改变加工中的相对大气湿度，氧化点结构的高度和宽度随相对湿度的增加而增加．文中对该现象进行了讨论，并对加工条件进行了优化．

本文分析了利用强度自相关和干涉自相关信息获取超短光脉冲形状和啁啾特性的方法及其缺陷。提出了一种直接测量超短光脉冲幅度谱和相位谱的原理和测量装置，并对锁模脉冲进行了测量，然后由逆傅里叶变换即可得到脉冲时域特性（脉冲形状和宽度），且由相位可得超短脉冲的各阶啁啾系数。