运用反应射频溅射的方法进行了TiN薄膜的制备，通过改变关键工艺参数，如氩气氮气比、气体压力等，研究工艺参数对TiN薄膜特性的影响．论文还研究了不同退火工艺条件对薄膜应力的影响，可以实现薄膜低温退火．论文还对TiN的刻蚀和抗腐蚀特性进行了研究，对比了多种湿法对TiN的刻蚀情况，得出常温下TiN具有良好的抗腐蚀特性，并得到干法和湿法刻蚀速率．为TiN材料的MEMS应用打下了基础．