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液压支撑单点渐进成形临界角研究

作者: 尚苗 李言 杨明顺 郑建明 景张帅 来源:中国机械工程 日期: 2024-12-05 人气:98
液压支撑单点渐进成形临界角研究
单点渐进成形复杂形状的薄壁制件时,不均匀厚度分布是影响产品性能和成形质量的主要原因。将液压支撑引入单点渐进成形过程中,提出一种液压支撑单点渐进成形工艺,该工艺通过对悬空板材增加柔性支撑来促进厚度的均匀分布。在静压和变压的辅助支撑下,采用Al1060板材单点渐进成形不同壁角的圆锥台制件,通过数值模拟和实验研究定量分析静压参数与变压方案对厚度分布及厚度均匀临界角的影响规律。结果表明,对厚度均匀分布临界角的有利静压压力范围为0~0.18 MPa,最有利的静压压力值为0.17 MPa。与无支撑单点渐进成形相比,液压支撑单点渐进成形工艺可以使厚度均匀临界角增大7°,有效提升板材的厚度分布均匀性和成形性能。

基于改进遗传算法的浮法玻璃优化切割

作者: 王聪聪 杨明顺 原欣 高新勤 来源:计算机工程与应用 日期: 2021-04-28 人气:98
基于改进遗传算法的浮法玻璃优化切割
浮法玻璃表面含有多种缺陷,这些缺陷的种类、数量和大小会不同程度影响玻璃质量,进而影响玻璃价格。因此在浮法玻璃优化切割过程中,应合理利用缺陷,优先规划质量较好的玻璃原片,以达到提高玻璃成品总价格的目的。针对浮法玻璃优化切割问题,以玻璃成品总价格最大为优化目标,建立该问题的数学模型,提出了一种符合浮法玻璃优化切割问题特性的遗传算法。以一个算例验证了上述模型的正确性及算法的有效性。

SiC单晶片研磨材料去除率研究

作者: 袁启龙 付慧 李淑娟 姜陶然 杨明顺 来源:机械科学与技术 日期: 2021-04-14 人气:224
SiC单晶片研磨材料去除率研究
碳化硅(SiC)单晶片属于难加工材料,在使用之前必须要进行研磨与抛光。材料去除率(Material removal rate,MRR)是衡量SiC单晶片研磨与抛光效率的重要因素。针对传统研磨与抛光过程中考虑磨粒摩擦磨损时建立的材料去除率公式对材料去除的不足,考虑SiC单晶片研磨时磨粒挤压嵌入阶段的材料去除,建立了新型的材料去除率公式。根据SiC单晶片、磨粒与研磨盘之间的接触状态,推导出了包含嵌入阶段和摩擦磨损阶段材料去除的新型MRR数学模型;结合材料的物理特性(如硬度与弹性模量等),进行研磨实验。实验结果与模型预测结果表明,新型材料去除率公式的预测结果更接近实际情况。
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