介绍了100mm口径反应烧结碳化硅平面反射镜的光学加工工艺流程.按照流程依次介绍了在粗磨成形、细磨抛光和精磨抛光过程中使用的机床、磨具和磨料以及采用的工艺参数和检测方法.介绍了在光学加工各个步骤中应注意的问题.展示了加工后反应烧结碳化硅平面反射镜的实物照片.给出了面形精度和表面粗糙度的检测结果:面形精度(95%孔径)均方根值(RMS)为0.030λ(λ=632.8nm),表面粗糙度RMS值达到了1.14nm(测量区域大小为603.6μm×448.4μm).

针对空间相机用反射镜RB-SiC材料由Si／SiC两相结构引起的光学表面缺陷问题，提出了表面离子辅助沉积（IAD）硅膜的改性新方案以优化RB-SiC光学表面反射率。对厚度为10±0．5μm的IAD-Si改性层的主要性能研究显示：IAD-Si膜层为非结晶结构，能够提供较好的抛光表面，在77-673K的热冲击下膜层稳定性良好。以Si膜的抛光机理为依据，对IAD-Si改性层进行了大量抛光工艺实验和表面质量测试，给出了关键的抛光工艺参数和实验结果。通过表面IAD-Si改性及本文提出的改性层超精加工技术能够在反射镜表面得到面形精度RMS值优于1／20λ（λ=632．8nm）且表面粗糙度RMS值〈0．5nm的超光滑表面；与改性前相比，反射镜改性层抛光表面在360-1 100nm波段的反射率提高了4．5％以上。

为了获得高质量光学表面的非球面碳化硅（SiC）反射镜，对碳化硅反射镜表面改性技术以及离子束辅助沉积（IBAD）Si改性后的非球面碳化硅反射镜的加工技术进行了研究。介绍了碳化硅反射镜表面改性技术以及本文所采用的离子束辅助沉积（IBAD）Si的改性方法。然后，采用氧化铈（CeO2）、氧化铝（Al2O3）以及二氧化硅（SiO2）等各种抛光液对离子束辅助沉积（IBAD）Si的碳化硅样片进行抛光实验。最后，在上述实验的基础上，采用计算机控制光学表面成型（CCOS）技术对尺寸为650mm×200mm的表面改性离轴非球面碳化硅反射镜进行加工。实验结果表明：CeO2抛光液的抛光效率较高；使用SiO2抛光液抛光后的样片表面质量最好；表面改性离轴非球面碳化硅反射镜加工后的最终检测结果为：实际使用171径内的面形精度（RMS值）为0．016λ（λ=0．6328μm），表面粗糙度...

利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅（RB-SiC）和常压烧结碳化硅（Sintered SiC,S-SiC）基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度（rms）大幅地降低,镀银后的反射率有较大地提高,基底表面光学质量已满足工程应用要求。在相同工艺条件下,S-SiC基底改性后效果好于RB-SiC基底的情况,主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致。