分析了声表面波（SAW）谐振器的性能和特点,对基于双端谐振型声表面波器件进行了振荡电路设计,采用RP1308、B433及Q284三种型号的声表面波谐振器进行了电路调试。测试结果表明,该电路能在固定频率起振,且频率跳变能够控制在30 Hz以下。本电路能够应用于多种不同谐振频率的双端谐振型声表面波气体传感器,具有广泛的应用前景。

用金属Pd作为催化剂，使1，4-二溴-2，5-二氧甲基苯（1，4-dibromo-2，5-dimethoxy benzene）和乙炔基三正丁基锡（ethynyltri-n-buyhin）发生取代反应，加热聚合生成具有盯结构的聚{乙炔[-2，5-二（甲氧基）]苯}（poly{ethynyl[-2，5-di（methoxy）]benzene}），并对合成的聚合物进行红外光谱分析。使用旋涂法将产物在QCM表面制备了薄膜，并研究了其常温下对CH4和CO两种气体的响应恢复特性以及重复特性。结果表明：该传感器对CH4和CO两种气体均能快速响应，且重复性较好；通过CH4和CO两种气体的测试结果对比可知，极性气体CO的灵敏度高于非极性气体CH4。

用射频等离子增强化学气相沉积方法（RF—PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20-80Pa）对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响；利用激光喇曼光谱研究了气体压强对a—Si：H薄膜微结构的影响，并与薄膜的电学性能进行了综合讨论。结果表明：随着辉光放电气体压强的增加，a-Si：H薄膜的暗电导逐步减小，但电导激活能和电阻温度系数都有不同程度的增大；同时，薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化。

集成电路设计越来越向系统级的方向发展，并且越来越强调模块化的设计。SPI总线是Motorola公司提出的一个同步串行外设接口．容许CPU与各种外围接口器件以串行方式进行通信、交换信息。在此简述了SPI总线的特点，介绍了它的四条信号线及SPI串行总线接口的典型应用。重点描述SPI串行总线接口在DA芯片中的应用，并给出用C语言描述实现该接口通信的部分程序。该程序已经在AT89C2051中进行验证。