微机械加速度计是近年来才发展起来的一类微机电系统（ＭＥＭＳ）。文中介绍了扭摆式硅微型加速度计的机械结构，工作原理。根据其信号特点，对其测试的关键部分进行了搪塞，并给出了测试结果。在此基础上，对整个加速度计系统的误差来源进行了研讨。

<正> 前言 晶体的定向是由与晶粒的形状和晶格所确定的晶向有关的晶体的各几何方向间的联系来确定的。硅晶体定向测量的方法很多,但相比之下,光学方法更具有特点。它使用起来简单、定向准确、可靠,能够处理任何半导体应用中的定向测量问题。

论述了微型硅半导体低温温度计的各种优良特性，并运用电子材料及其工艺原理设计 一套保证其具有优良特性的制作工艺，通过测量可知，这种温度计在液氮温度下具有良好的复现性，且其电压信号与温度信号人有良好的线性关系，可望在低温工程中获得广泛的应用。

借鉴工程力学中测量残余应力的盲孔法,给出了一种测量半导体氧化工艺中形成的硅-二氧化硅界面残余应力的微结构应变计,并对其测量结果作了讨论.

通过皮肤输送药物最大的障碍是皮肤最外层的角质层.传统的静脉注射用针只有刺透皮肤深入到深层组织内部,才能有效地输送药物,这容易引起感染和疼痛,给患者造成很大的不适.介绍了一种采用硅微加工技术制作的微针,它长度适中,既能穿透皮肤的角质层,又刺激不到深层组织的神经,实现无痛注射的目的.其加工工艺是采用硅的HNA(硝酸+氢氟酸+乙酸)腐蚀系统,是一种硅的各项同性的湿法腐蚀方法.

微机电系统(MEMS)技术的基础是由微电子加工技术发展起来的微结构加工技术,包括表面微加工技术和体微加工技术.其中体微加工技术是微传感器、微执行器制造中最重要的加工技术.该文主要介绍以加工金属、聚合物以及陶瓷为主的LIGA技术,先进硅刻蚀技术(ASE)和石英晶体深槽湿法刻蚀技术.最后给出用LIGA技术和牺牲层技术制作微加速度传感器的例子.

提出了一种新的曲率倒易法首次成功地在Si衬底上制作出64×256凹柱面折射微透镜阵列,扫描电子显微镜(SEM)显示微透镜阵列为表面轮廓清晰的凹柱面阵列,表面探针测试结果显示凹微透镜阵列表面光滑、单元重复性好,其平均凹深为2.643μm,凹深非均匀性为8.45%,平均焦距为-47.08μm.

我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化不相互作用成为针尖和样品之间的主要作用；而当偏压大于０．８Ｖ时，场蒸发的影响则成为一个关键因素。

利用电化学扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对ｎ型硅抛光片（１１１）表面的微缺陷和表面电子结构做了初步研究。大量Ｓｉ表面不同部位的ＳＴＭ表面形貌象表明，抛光片中粗糙度的为几个纳在面积平整区与许多不规则微缺陷区共存。轻掺Ｓｉ（１１１）表面较为平整，微结构边缘平滑，尺寸较大；重掺Ｓｉ表面微缺陷密度高，结构复杂，平整度明显降低。同时观察到大量有规律的缺陷。

本文介绍了传感器信号处理器MAX1457的主要功能及其用于对硅压阻式加速度计进行温度补偿的系统组成、补偿方法等.并通过实际补偿结果表明,利用MAX1457对硅压阻式加速度计进行热零点漂移补偿和热灵敏度漂移补偿,有效提高了压阻式加速度计的温度稳定性.