基于单片机的FIash存储器坏块自动检测

　　随着电子技术飞速发展，智能电子产品随处可见，如PC机、移动电话、PDA、数码相机、游戏机、数字电视等，而诸如此类的电子产品的核心器件往往离不开存储器。无论是从存储器的物理结构、存储容量、数据读写速度、可靠性、耐用性，还是产品的实用性方面。其种类繁多。然而由于种种原因，越来越多的电子产品采用数据传输快、容量大的NAND型Flash存储器。虽然NAND型fLash具有许多优点，但其有随机产生不可避免的坏块，如果不能很好解决该坏块将导致高故障率。因此，这里提出一种基于DSP的Flash存储器坏块自动检测系统。

　　1 系统设计方案

　　图l为Flash存储器坏块自动检测系统结构框图。

　　本系统设计采用AT89C51自动检测NAND型Flash存储器的无效块，获取Flash存储器的坏块信息，为后续数据存储做准备。本系统设计包括硬件电路和配套软件设计2部分。其硬件电路主要由单片机、控制、显示和存储器4部分组成，其中单片机部分采用常规的最小系统电路;控制部分由按键和单片机的外部中断组成，按钮通过电阻与接地端相连，而复位键则与电源端相连;显示部分采用单片机的P0和P1端口控制8位七段共阳极数码管，位选通端由P2端口控制数据端由Pl控制;存储器部分与单片机相连，由于存在电平差异，所以需加电平转换器74LVX42-45，可将由单片机输出的5 V电压转到3 V，并将由Flash输出的3 V电压转到5 V，其转换方向便于控制。而软件设计部分采用单片机C语言编写程序，当数据存储到单片机后，用一个循环语句将其放到数组里，这样可以通过改变某一变量实现上下查询。则将这个变量的改变放在外部中断程序中。

　　2 硬件电路设计

　　硬件电路设计由于选用的51单片机是TTL器件，而所要检测的NAND型Flash存储器是CMOS器件，这2种类型器件的电平不相匹配，因此需增加电平转换器74154245，从而实现电压的5 V与3 V的双向转换。

　　2.1 单片机的连接

　　为了方便读图，该系统设计的电路原理图中的许多导线连接都采用网络标号的方法，而标号的命名基本采用引脚名称。单片机的P1端口的位操作控制Flash的控制端，P0端口作为单片机和Flash的地址和数据传输端口。其中数据的流向采用P1.6和P1.7控制，要读取Flash的数据时，如读ID时，先对单片机的P1端口位操作，依照时序设置控制字，接着由单片机的PO端口输出读取ID的命令，然后设置写地址的控制字，输入地址00H。读状态时，连续的RE脉冲可输出ID代码。页读取操作与此类似。图2为单片机电路连接图。

　　2.2 Flash存储器的连接

　　K9K8G08UOM是采用NAND技术的1 GB大容量、高可靠、非易失性Flash存储器，具有高密度、高性能特点。其无效块定义为包含有一个或更多无效字节，且其可靠性不能被保证，则无效块中的信息称为无效块信息。和所有的有效块一样，它具有相同的AC和DC参数，一个无效块不会影响有效块的运行，因为它有相应独立的指令资源依靠选择晶体管，该系统设计必须通过地址掩盖其无效块。第l块(地址是OOh)为了保证是有效块，不要求纠错l K编程/擦除周期。